(p174) (156)
Transistoreja kytkevät hilat tehdään wolframista ja ne eristetään piistä piidioksidilla.
"Gates that turn the transistors on and off are created; they are made of metal tungsten and they are isolated from the silicon with silicon dioxide."
https://patents.google.com/patent/EP1890322A2/en
Kovio/ THIN:/
Patenttihakemuksia on raskasta lukea, koska kaikki vaihtoehdot on pyritty esittämään.
50 ja 55 ovat hiloja; 60 ja 65 ovat seostettuja (dopant - P/B -> N-/P-tyypit)
seostus vaatii korkeita lämpötiloja/ nopeaa kuumennusta 750-1100oC (<850oC) UV t. laseri
FIG. 6 - 70/72/74 aukot tehdään; tulo- ja lähtöportit 32/33 ja 36/37 muodostetaan
FIG. 7 - metallielektrodit 80-86 ovat alumiinia
Transistoreja kytkevät hilat tehdään wolframista ja ne eristetään piistä piidioksidilla.
"Gates that turn the transistors on and off are created; they are made of metal tungsten and they are isolated from the silicon with silicon dioxide."
https://patents.google.com/patent/EP1890322A2/en
Kovio/ THIN:/
Patenttihakemuksia on raskasta lukea, koska kaikki vaihtoehdot on pyritty esittämään.
50 ja 55 ovat hiloja; 60 ja 65 ovat seostettuja (dopant - P/B -> N-/P-tyypit)
seostus vaatii korkeita lämpötiloja/ nopeaa kuumennusta 750-1100oC (<850oC) UV t. laseri
FIG. 6 - 70/72/74 aukot tehdään; tulo- ja lähtöportit 32/33 ja 36/37 muodostetaan
FIG. 7 - metallielektrodit 80-86 ovat alumiinia
